发射器应用--磷源片

新源片在测试或投入使用前必须经过清洗，并且必须经过适当的老化。请参阅产品关于老化程序的说明。在这个过程中，源片须在建议的沉积温度下老化至少16小时，但不超过24小时。
沉积循环

注意：注意：当硼源所处环境的温度超过600度时，源片之间应该放上硅片防止源片损坏，并且在两端应该分别放置硅片。
特殊说明
特殊说明 1
关于气体流率的建议，是基于各种不同的系统的经验得出的。有些客户发现，增加插入和撤离过程中的气体流率，将进一步减少从炉口回流水分的可能。如果只有一个终板覆盖炉口端盖，或者端盖是松的，这个工艺才会有用。
特殊说明 2
最开始，所需比例的氧气应该混合在载气中，以便开始一系列测试。最终您可以选择适合您可接受的氧气浓度。通常情况下在0.5％和5％之间。磷源片不受氧气影响。
特殊说明3
植入空气湿度的不同会导致方块电阻率的变化。为了减少水分的影响，建议采取以下步骤：
a.预淀积后，在干燥的氮气环境中冷却硅和源片。
b.在不使用时，将源片存储于高温干燥的氮气环境中

扩散载体的设计

确保硼源片插槽宽松，插槽过紧可能导致源片的损坏。槽尺寸和载体制造尺寸相关数据参见产品公告的载体设计相关内容。硼源片和磷源片尺寸相同，两种源片的载体允许使用相同设计。

清洗

作为日常的清洁过程，磷源片需用酸蚀以消除异物并露出源片表面。因此，在放入扩散炉之前，源片不需要额外的清洗。如果需要清洗，建议：

• 室温下稀酸中浸泡15秒
• TP-250 4:1 HNO3
• TP-470 10:1 HF
• 离子化水（DI）冲洗2分钟
• 离子化水（DI）冲洗1分钟
• 在清洁罩中保持直到干燥
• 存储于氮气中

以上程序只是进行初步清理建议。如果源片在老化之后污染，请联系您所在地区的技术代表。

老化

在第一次生产使用之前，磷源片需要有一个初始化或者老化过程。这将确保所有水分蒸发，它使源片实现恒定速率的磷转化。老化在预沉积温度，25 - 50%氧气的氮气环境中进行。高温过程持续几小时，低温过程也会持续24小时之长。关于推荐的老化时间参见第一页。
请记住，磷源片对氧气不敏感。您可以根据需求任意制定你的载气中氧气浓度，以达到最佳效果。
注意：当硼源片所处的温度超过600度时，应该在每两个源片之间放置硅片，且舟的最两端应该放置硅片。

储存

应遵循正确的存储程序，避免磷源片暴露于水分中。正确的储存有助于加强源片的扩散均匀性和寿命，并改善您的设备的电气性能。
对于专用扩散管，我们建议硼源片存储在600°C左右的炉内热区中。保持足够的干燥氮气流过管道，以使回流无法接近源片。如果扩散炉还要用作它用，或不太方便储存硼源片，磷源片应存放在高于200°C的烤箱内。必须不断地往烤箱中充入足够的氮气以阻止室内空气进入烤箱内。
如果源片暴露在空气中或不小心在空气中滞留了相当长的时间，可能会因其吸收的水分影响随后的工艺。但是这也是很容易地修复。只要将源片插入扩散管并在插入温度下保持约15分钟即可。当他们从管中退出时，船也已经准备好了要加工的硅片。